氮(dan)(dan)化硅(gui)(gui)結合(he)碳(tan)化硅(gui)(gui)磚(zhuan)涉及到的(de)主要生產原料有：碳(tan)化硅(gui)(gui)、硅(gui)(gui)粉(fen)、氮(dan)(dan)氣等(deng)添加(jia)劑。不同于普通的(de)氮(dan)(dan)化硅(gui)(gui)材(cai)料制品，氮(dan)(dan)化硅(gui)(gui)結合(he)碳(tan)化硅(gui)(gui)磚(zhuan)所需要的(de)原料必須具(ju)有更高的(de)純度。碳(tan)化硅(gui)(gui)的(de)純度應達(da)到98.5%以上，硅粉的(de)純度(du)應達(da)到99%以上(shang)，氮氣的純度應達(da)到99.9%以(yi)上。除了原料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)純度(du)需要進行嚴格的(de)(de)(de)(de)(de)控(kong)制(zhi)以(yi)外，生產(chan)加工過(guo)程(cheng)中還需要對原料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)粒(li)度(du)和顆粒(li)級配進行嚴格的(de)(de)(de)(de)(de)控(kong)制(zhi)。原料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)粒(li)度(du)過(guo)高將會(hui)直(zhi)接影響(xiang)胚(pei)體成型的(de)(de)(de)(de)(de)體積(ji)密度(du)，造(zao)成胚(pei)體的(de)(de)(de)(de)(de)致密性降低(di)，影響(xiang)最終的(de)(de)(de)(de)(de)產(chan)品質量。在原料(liao)顆粒(li)級配方面，要注意硅(gui)粉(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)粒(li)度(du)，硅(gui)粉(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)粒(li)度(du)控(kong)制(zhi)可以(yi)確保硅(gui)粉(fen)與(yu)氮(dan)氣(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)反應(ying)效率(lv)，但是一味降低(di)硅(gui)粉(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)粒(li)度(du)也會(hui)存在一定的(de)(de)(de)(de)(de)負面影響(xiang)，即(ji)硅(gui)粉(fen)于氮(dan)氣(qi)反應(ying)速率(lv)過(guo)快(kuai)，劇烈的(de)(de)(de)(de)(de)反應(ying)造(zao)成反應(ying)裝(zhuang)置中熱量集聚(ju)上升，一旦溫(wen)度(du)超過(guo)1400℃時，會誘發碳化(hua)硅表面出現(xian)流硅現(xian)象，反而不利于產品的(de)(de)質量(liang)控制。另外，在氮化(hua)硅結合碳化(hua)硅磚的(de)(de)原(yuan)料中加入ZrSio4可以起到改善產(chan)品抗氧化性的作用。

氮化(hua)(hua)硅(gui)結合(he)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)磚(zhuan)生產(chan)(chan)工藝(yi)中，需要(yao)(yao)加(jia)入臨時(shi)(shi)的(de)結合(he)劑(ji)(ji)，結合(he)劑(ji)(ji)的(de)加(jia)入主(zhu)(zhu)要(yao)(yao)有(you)兩大(da)功效(xiao)，一是可以(yi)幫助原(yuan)料之(zhi)間融合(he)實現均(jun)質(zhi)體(ti)，改(gai)善原(yuan)料顆粒(li)表面的(de)分(fen)散性(xing)，為胚體(ti)成型創建良好(hao)的(de)條件；二是氮化(hua)(hua)硅(gui)結合(he)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)磚(zhuan)在干燥和燒(shao)成的(de)工序中要(yao)(yao)面臨升(sheng)溫(wen)的(de)過(guo)程(cheng)，而在高溫(wen)條件下(xia)，氮化(hua)(hua)硅(gui)結合(he)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)磚(zhuan)的(de)臨時(shi)(shi)結合(he)劑(ji)(ji)會分(fen)散，氣(qi)態物質(zhi)揮發過(guo)程(cheng)中給氮化(hua)(hua)硅(gui)結合(he)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)磚(zhuan)留下(xia)大(da)量的(de)網絡狀氣(qi)孔通道(dao)，不僅更(geng)有(you)利(li)于(yu)氮氣(qi)的(de)充入，提高了硅(gui)粉和氮氣(qi)之(zhi)間的(de)反(fan)應效(xiao)率，而且也(ye)能夠更(geng)有(you)利(li)于(yu)最(zui)終產(chan)(chan)品的(de)穩定性(xing)。臨時(shi)(shi)結合(he)劑(ji)(ji)主(zhu)(zhu)要(yao)(yao)有(you)：有(you)機糊(hu)精、木質(zhi)素(su)磺酸鈣(gai)以(yi)及德國司馬化(hua)(hua)工分(fen)散劑(ji)(ji)等(deng)，目前行業內對臨時(shi)(shi)結合(he)劑(ji)(ji)的(de)添加(jia)量質(zhi)量百分(fen)比通常在5%以內(nei)。

目(mu)前(qian)氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)結合碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)磚的(de)成(cheng)型(xing)工藝主(zhu)要有半干法(fa)成(cheng)型(xing)和注漿成(cheng)型(xing)兩(liang)大類。其中半干法(fa)成(cheng)型(xing)因為生產(chan)效(xiao)(xiao)率較高(gao)(gao)(gao)的(de)優勢應用(yong)更加普遍。在干燥工序中溫度(du)(du)(du)和時間對(dui)產(chan)品(pin)質量有較大影響。溫度(du)(du)(du)過低(di)或時間過短，都會導致胚體(ti)中殘(can)留水分，在后續的(de)氮化(hua)(hua)反應過程中誘發硅(gui)(gui)粉的(de)氧化(hua)(hua)反應，從而降低(di)氮化(hua)(hua)反應效(xiao)(xiao)率，影響產(chan)品(pin)質量。溫度(du)(du)(du)升(sheng)高(gao)(gao)(gao)的(de)快慢也會對(dui)產(chan)品(pin)質量造成(cheng)影響。溫度(du)(du)(du)升(sheng)高(gao)(gao)(gao)太快不利(li)于對(dui)高(gao)(gao)(gao)溫環境進行(xing)控制。過高(gao)(gao)(gao)的(de)溫度(du)(du)(du)會造成(cheng)胚體(ti)表面出現裂紋。

氮化硅結(jie)合碳(tan)化硅磚(zhuan)的(de)原(yuan)料混(hun)煉成型后再氮化爐中高(gao)溫1400℃左右進行燒(shao)制，最終產(chan)品的質(zhi)量(liang)和行難呢過(guo)與氮化反(fan)(fan)應(ying)的溫(wen)度(du)(du)有(you)著緊密關系。在硅粉(fen)與氮氣發(fa)生反(fan)(fan)應(ying)的過(guo)程(cheng)中，大(da)致經歷兩個(ge)溫(wen)度(du)(du)段(duan)(duan)；首先是升(sheng)溫(wen)階段(duan)(duan)，然(ran)后是原料的氮化反(fan)(fan)應(ying)階段(duan)(duan)。其中升(sheng)溫(wen)階段(duan)(duan)裝(zhuang)置內的溫(wen)度(du)(du)由初始(shi)溫(wen)度(du)(du)升(sheng)高至(zhi)1100℃左右，而原料氮化硅反(fan)應階段(duan)的溫(wen)度在1100~1350℃。